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FDMJ1028N的图片

FDMJ1028N

Fairchild图标
场效应管阵列
制造厂商:ag视讯试玩|首页半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
原厂封装:6-MicroFET
优势价格,FDMJ1028N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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电话询问价格
FDMJ1028N的功能参数资料 - ag视讯试玩|首页半导体公司(Fairchild)提供
  • 原厂标准完整型号:FDMJ1028N
  • 制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.2A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3.2A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:800mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装样式:6-WDFN 裸露焊盘
  • 原厂封装:6-MicroFET(2x5)
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